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IRF7341PBF相关型号

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Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRF7341PBF

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列HEXFET®
  • 零件状态Digi-Key 停产
  • FET 类型2 N-通道（双）
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）55V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.7A
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）50 毫欧 @ 4.7A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）36nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）740pF @ 25V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SO

其它信息

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