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BSB056N10NN3 G相关型号
Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • BSB056N10NN3 G

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:WDSON-2-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:100 V
  • Id-连续漏极电流:83 A
  • Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms
  • 配置:Single
  • 商标名:OptiMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 高度:0.7 mm
  • 长度:6.35 mm
  • 系列:OptiMOS 3
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:5.05 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:MOSFET
  • 工厂包装数量:5000
  • 子类别:MOSFETs
  • 零件号别名:BSB056N10NN3GXUMA1 BSB56N1NN3GXT SP000604540

其它信息

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