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BSZ025N04LSATMA1相关型号

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Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • BSZ025N04LSATMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET MV POWER MOS
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，BSZ025N04LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TSDSON-8
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:40 V
  • Id-连续漏极电流:40 A
  • Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:52 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:69 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:OptiMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.1 mm
  • 长度:3.3 mm
  • 系列:OptiMOS 5
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:3.3 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:55 S
  • 下降时间:5 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:7 ns
  • 工厂包装数量:5000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:27 ns
  • 典型接通延迟时间:6 ns
  • 零件号别名:BSZ025N04LS SP001252032
  • 单位重量:156 mg

其它信息

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