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BF 999 E6327相关型号
Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • BF 999 E6327

  • 制造商:Infineon Technologies
  • 批号:19+
  • 描述:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
  • RoHS:
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 技术:Si
  • Id-连续漏极电流:30 A
  • Vds-漏源极击穿电压:20 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOT-23
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 配置:Single
  • 高度:1 mm
  • 长度:2.9 mm
  • 系列:BF999
  • 类型:RF Small Signal MOSFET
  • 宽度:1.3 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • Pd-功率耗散:200 mW
  • 产品类型:RF MOSFET Transistors
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:MOSFETs
  • Vgs - 栅极-源极电压:6.5 V
  • 零件号别名:BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985
  • 单位重量:8 mg

其它信息

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