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IDH16G65C5XKSA1相关型号

  • BYM600A170DN2

    IGBT 模块 1700V 600A F/DIODE

  • BCR 08PN H6327

    双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BC 848B E6327

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR

  • BCP5416H6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS

  • BCX 70J E6327

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR

  • BDP953H6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS

  • BCX 71J E6327

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR

  • BC 856U E6327

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF Transistor Arrays

Infineon(英飞凌)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IDH16G65C5XKSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IDH16G65C5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列CoolSiC™
  • 零件状态Digi-Key 停产
  • 二极管类型碳化硅肖特基
  • 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）650V
  • 电流 - 平均整流（Io）16A（DC）
  • 不同 If 时的电压 - 正向（Vf1.7V @ 16A
  • 速度无恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间（trr）0ns
  • 不同Vr 时的电流 - 反向漏电流550µA @ 650V
  • 不同Vr，F 时的电容470pF @ 1V，1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商器件封装PG-TO220-2-2
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

其它信息

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